赵宏武 研究员

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教育及科研经历:

1997年 南京大学凝聚态物理学博士

1999年 香港科技大学,Visiting Scholar

2000
Max Planck Institute of Microstucture Physics, Germany, Visiting Scholar

20012003
Univ. of Cal. at Berkeley, USA, Research Associate

现任固态量子信息与计算实验室
Q01组组长,研究员,博士生导师。

主要研究方向:固态量子信息与材料

新一代信息存储与处理器件面临着记录单元尺寸减小导致的量子尺寸效应的挑战。如何能实现对现有经典存储信息器件的升级,以及开拓新的基于量子效应的量子信息存储与处理器件,是我们当前需要研究的前沿课题。我们将通过开拓先进实验技术,探索固态体系中电子、自旋、原子和受限系统与量子信息相关的物理现象,探索量子调控在信息器件中的应用,最终实现经典信息存储器件的升级换代以及固态量子计算和信息处理。

1. 阻变存储器(RRAM)的材料、物理与器件

在氧化物薄膜上施加电场,电场的大小和正负极性将导致电阻的双稳态,可以用作下一代的非易失存储器,有可能取得现在的内存、硬盘和闪存。我们目前正在研究阻变结构中在高低阻态下的导电通道形成和湮灭过程,力图澄清物理机制,实现性能优异、稳定的可以面向工业应用的新材料。

2. 自旋电子学物理与材料研究

电子具有电荷属性,还有自旋属性。基于电场控制电荷的大规模半导体集成电路是上世纪信息产业蓬勃发展的核心基础,那么,如果能控制电子的自旋,将在信息存储和处理过程中引入新的自由度,催生一系列基于电子自旋调控的新型电子学材料和器件,诸如计算机中基于巨磁电阻效应的GMR/TMR磁头。

3. 固态量子信息与计算

量子物理与信息技术相结合,开拓了与经典方式具有本质区别的全新的信息处理和通信方式,量子信息技术能够用一种革命性的方式对信息进行编码、存储、传输和操纵。从应用角度来说,未来的量子计算一定是基于固态的、可拓展的结构。

目前已经在在
Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B., Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys. 以及 Nature Physics 等国际学术刊物发表论文70余篇。